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可调谐相对论磁控管的实验研究
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作者:
李天明 李家胤 马文多 张冰 于秀云 李浩 汪海洋 周翼鸿 张廷伟 邹焕 来源:强激光与粒子束 年份:2016 文献类型 :期刊 关键词: 可调谐 相对论磁控管 高功率微波 尾蚀
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描述:实验研究了高有载品质因数下有无阳极端帽时调谐性能的差异,以及低有载品质因数下,没有阳极端帽时的可调谐相对论磁控管性能。研究结果表明:没有阳极端帽时,可调谐相对论磁控管具有更宽的调谐范围;在高有载品质因数下,可以达到2.52~3.31 GHz的调谐范围,输出功率范围为44~790 MW;低有载品质因数
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全文:品质因数下,可以达到2.52~3.31 GHz的调谐范围,输出功率范围为44~790 MW;低有载品质因数下,调谐范围为2.55~3.05 GHZ,调谐范围内输出功率1~1.7 GW。
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S波段可调谐相对论磁控管的初步设计
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作者:
李天明 李家胤 孙大瑞 于秀云 汪海洋 李浩 葛鹏 来源:强激光与粒子束 年份:2016 文献类型 :期刊 关键词: 相对论磁控管 异腔式磁控管(旭日型磁控管) 高功率微波 耦合腔调谐
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描述:设计了一种可机械调谐的S波段相对论磁控管,该管采用由5个扇形腔和5个矩形腔组成的旭日型磁控管方案,通过小腔滑块移动实现调谐。利用等效电路法和高频场分析软件与粒子模拟软件分析了器件的性能。初步模拟结果表明:调谐相对带宽可达20%,当电压为650kV,磁场为0.6T时,全带宽内输出功率大于600MW,在
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全文:结果表明:调谐相对带宽可达20%,当电压为650kV,磁场为0.6T时,全带宽内输出功率大于600MW,在大部分带宽内峰值功率大于900MW。
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可调谐相对论磁控管调谐带宽的优化
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作者:
邹焕 李家胤 李天明 汪海洋 张廷伟 李浩 于秀云 来源:强激光与粒子束 年份:2016 文献类型 :期刊 关键词: 相对论磁控管 高功率微波 旭日型磁控管 调谐带宽 零模分量 频率调谐
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描述:在以10腔旭日结构为方案的可调谐相对论磁控管中,分析了热腔下对磁控管性能有重要影响的零模成分与模式隔离因素,结合零模成分的形成原因以及轴向频率分量对调谐范围的影响,提出了调整大、小腔等效阻抗和体积,开放阳极端面,从而减小零模分量及增加调谐带宽的措施。CST模拟表明,通过这些优化,可调谐相对论磁控管的
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全文:在以10腔旭日结构为方案的可调谐相对论磁控管中,分析了热腔下对磁控管性能有重要影响的零模成分与模式隔离因素,结合零模成分的形成原因以及轴向频率分量对调谐范围的影响,提出了调整大、小腔等效阻抗和体积
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L波段大功率全带宽波导盒型窗
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作者:
汪海洋 李家胤 李明光 于秀云 来源:强激光与粒子束 年份:2016 文献类型 :期刊 关键词: 全波导带宽 行波管 鬼模 盒型窗 高功率微波 仿真设计
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描述:由于鬼模振荡的存在,普通波导盒型窗很难获得宽频带输出,其相对带宽一般只有20%~30%。提出一种新的适用于大功率螺旋线行波管非对称全带宽波导盒型窗设计思路,通过3维电磁仿真设计与优化,获得了L波段
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全文:由于鬼模振荡的存在,普通波导盒型窗很难获得宽频带输出,其相对带宽一般只有20%~30%。提出一种新的适用于大功率螺旋线行波管非对称全带宽波导盒型窗设计思路,通过3维电磁仿真设计与优化,获得了L波段
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多级PIN限幅器高功率微波效应研究
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作者:
胡凯 李天明 汪海洋 周翼鸿 来源:强激光与粒子束 年份:1905 文献类型 :期刊 关键词: PIN限幅器 多级 电热耦合模型 高功率微波效应
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描述:基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了H
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全文:基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级
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PIN限幅器PSpice模拟与实验研究
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作者:
汪海洋 李家胤 周翼鸿 李浩 于秀云 来源:强激光与粒子束 年份:2016 文献类型 :期刊 关键词: 尖峰泄漏 实验 PIN限幅器 PSpice模拟
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描述:从PIN二极管基区双极载流子扩散方程出发,通过拉普拉斯变换求解得到PIN二极管子电路模型,从而通过PSpice软件瞬态数值模拟得到了PIN限幅器的尖峰泄漏、平顶泄漏与脉冲功率、上升时间关系。对于I层厚度一定的限幅器,模拟与实验表明脉冲前沿越大,尖峰泄漏功率插入损耗越大,脉冲前沿过缓则可能没有尖峰泄漏
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全文:从PIN二极管基区双极载流子扩散方程出发,通过拉普拉斯变换求解得到PIN二极管子电路模型,从而通过PSpice软件瞬态数值模拟得到了PIN限幅器的尖峰泄漏、平顶泄漏与脉冲功率、上升时间关系。对于I层
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低噪声放大器有意电磁干扰效应
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作者:
汪海洋 周翼鸿 李家胤 许立刚 于秀云 来源:强激光与粒子束 年份:2016 文献类型 :期刊 关键词: 有意电磁干扰 高功率微波 低噪声放大器 直接注入实验
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描述:低噪声放大器(LNA)是高功率微波"前门"效应典型薄弱器件之一。通过SPICE效应电路建模、模拟计算和注入实验,研究了LNA在不同微波脉宽、功率参数下其增益压制效应规律。模拟结果与实验数据获得良好
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全文:低噪声放大器(LNA)是高功率微波"前门"效应典型薄弱器件之一。通过SPICE效应电路建模、模拟计算和注入实验,研究了LNA在不同微波脉宽、功率参数下其增益压制效应规律。模拟结果与实验数据获得良好