可调谐相对论磁控管调谐带宽的优化

作者： 邹焕 李家胤 李天明 汪海洋 张廷伟 李浩 于秀云  来源：强激光与粒子束 年份：2016 文献类型 ：期刊 关键词： 相对论磁控管  高功率微波  旭日型磁控管  调谐带宽  零模分量  频率调谐 

描述：在以10腔旭日结构为方案的可调谐相对论磁控管中,分析了热腔下对磁控管性能有重要影响的零模成分与模式隔离因素,结合零模成分的形成原因以及轴向频率分量对调谐范围的影响,提出了调整大、小腔等效阻抗和体积,开放阳极端面,从而减小零模分量及增加调谐带宽的措施。CST模拟表明,通过这些优化,可调谐相对论磁控管的

全文：在以10腔旭日结构为方案的可调谐相对论磁控管中,分析了热腔下对磁控管性能有重要影响的零模成分与模式隔离因素,结合零模成分的形成原因以及轴向频率分量对调谐范围的影响,提出了调整大、小腔等效阻抗和体积

可调谐相对论磁控管的实验研究

作者： 李天明 李家胤 马文多 张冰 于秀云 李浩 汪海洋 周翼鸿 张廷伟 邹焕  来源：强激光与粒子束 年份：2016 文献类型 ：期刊 关键词： 可调谐  相对论磁控管  高功率微波  尾蚀 

描述：实验研究了高有载品质因数下有无阳极端帽时调谐性能的差异,以及低有载品质因数下,没有阳极端帽时的可调谐相对论磁控管性能。研究结果表明:没有阳极端帽时,可调谐相对论磁控管具有更宽的调谐范围;在高有载品质因数下,可以达到2.52~3.31 GHz的调谐范围,输出功率范围为44~790 MW;低有载品质因数

全文：品质因数下,可以达到2.52~3.31 GHz的调谐范围,输出功率范围为44~790 MW;低有载品质因数下,调谐范围为2.55~3.05 GHZ,调谐范围内输出功率1~1.7 GW。

S波段可调谐相对论磁控管的初步设计

作者： 李天明 李家胤 孙大瑞 于秀云 汪海洋 李浩 葛鹏  来源：强激光与粒子束 年份：2016 文献类型 ：期刊 关键词： 相对论磁控管  异腔式磁控管(旭日型磁控管)  高功率微波  耦合腔调谐 

描述：设计了一种可机械调谐的S波段相对论磁控管,该管采用由5个扇形腔和5个矩形腔组成的旭日型磁控管方案,通过小腔滑块移动实现调谐。利用等效电路法和高频场分析软件与粒子模拟软件分析了器件的性能。初步模拟结果表明:调谐相对带宽可达20%,当电压为650kV,磁场为0.6T时,全带宽内输出功率大于600MW,在

全文：设计了一种可机械调谐的S波段相对论磁控管,该管采用由5个扇形腔和5个矩形腔组成的旭日型磁控管方案,通过小腔滑块移动实现调谐。利用等效电路法和高频场分析软件与粒子模拟软件分析了器件的性能。初步模拟

半球壳型介质输出窗辐射图研究

作者： 周翼鸿 李家胤 钟哲夫 李浩 汪海洋  来源：强激光与粒子束 年份：2016 文献类型 ：期刊 关键词： 输出窗  高功率微波  辐射图  束腰  并矢格林函数 

描述：利用球矢量波函数的线性组合导出了球壳并矢格林函数;使用并矢格林函数方法,取5阶、球面波半张角8°、口面半径0.2 m、频率为10 GHz的高斯场,分析了半球壳型输出窗在束腰分别取0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,0.8情况下对高斯口面场远场辐射图的影响。分析表明:当束腰较小时(取0.3

全文：利用球矢量波函数的线性组合导出了球壳并矢格林函数;使用并矢格林函数方法,取5阶、球面波半张角8°、口面半径0.2 m、频率为10 GHz的高斯场,分析了半球壳型输出窗在束腰分别取

多注速调管双重入式谐振腔的解析计算与仿真

作者： 汪海洋 李明光 李家胤  来源：强激光与粒子束 年份：2016 文献类型 ：期刊 关键词： 计算仿真  多注速调管  双重入式谐振腔 

描述：相邻区域公共边界场的匹配条件得到场匹配方程 ,从而求解出腔体谐振频率 ,并采用微扰法对计算数据予以修正

全文：相邻区域公共边界场的匹配条件得到场匹配方程 ,从而求解出腔体谐振频率 ,并采用微扰法对计算数据予以修正 ,同时可得到腔体另一重要参数特性阻抗。另外使用 HFSS软件仿真腔体 ,并给出计算、仿真、实测数据比较。

多级PIN限幅器高功率微波效应研究

作者： 胡凯 李天明 汪海洋 周翼鸿  来源：强激光与粒子束 年份：1905 文献类型 ：期刊 关键词： PIN限幅器  多级  电热耦合模型  高功率微波效应 

描述：基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了H

全文：限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明:随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。