具有饱和非线性的非克尔光纤的调制不稳定性

作者： 刘秀敏 杨性愉 王晶 冯启元  来源：光子学报 年份：1905 文献类型 ：期刊 关键词： 调制不稳定性  饱和非线性  四阶色散 

描述：理论上分析了当存在高阶色散时具有饱和非线性的非克尔光纤的调制不稳定性．三阶色散对调制不稳定性没有影响，四阶色散效应导致在正常和反常色散区出现了新的调制不稳定区．并且对比了不同他和参数的增益谱，在新的调制不稳定区，发现同样有一个临界调制频率对应两个入射功率的现象．

全文：理论上分析了当存在高阶色散时具有饱和非线性的非克尔光纤的调制不稳定性．三阶色散对调制不稳定性没有影响，四阶色散效应导致在正常和反常色散区出现了新的调制不稳定区．并且对比了不同他和参数的增益谱，在新的调制不稳定区，发现同样有一个临界调制频率对应两个入射功率的现象．

应用色谱-质谱联用法快速鉴别人参和西洋参须根

作者： 陈邦元 徐金娣 丁妍 朱玲英 李松林  来源：东南国防医药 年份：1905 文献类型 ：期刊 关键词： 人参须根  西洋参须根  质谱联用  鉴别  色谱 

描述：目的研究快速鉴别人参须根和西洋参须根的方法。方法采用超高效液相色谱串联三重四级杆质谱(Ultraperformance liquid chromatography-tandem quadrupole mass spectrometry,UPLC-TQ-MS/MS)法又称色谱-质谱联用方法进行快速分离

全文：,柱温40℃,以乙腈-0.1%甲酸溶液为流动相梯度洗脱,流速0.5 ml/min;质谱采用电喷雾(ESI)离子源,全扫描和子离子扫描,负离子模式下采集数据。结果在西洋参须根中检测到西洋参特征成分24

含有饱和吸收介质的洛仑兹展宽的失谐的环形激光器的稳态解

作者： 张春燕 冯启元  来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：1905 文献类型 ：期刊 关键词： Bloch方程  饱和吸收介质  稳态解  洛仑兹展宽  Maxwell 

描述：本文利用单模环形腔激光器的Maxwell-Zloch方程的平均场近似理论,研究了含有饱和吸收介质的,以Lorentz非均匀展宽为特征的夫谐的单模单向环形腔激光器,得到了系统的稳态解。分析结果表明:非均匀展宽的外界泵浦的激光器阈值与非均匀展宽线及饱和参数有关,在失谐情况下,场变量相位失谐的阈值要比均匀

全文：均匀展宽的外界泵浦的激光器阈值与非均匀展宽线及饱和参数有关,在失谐情况下,场变量相位失谐的阈值要比均匀展宽吋的低,同时还得到了模式牵引频率。

W波段宽带倍频器的设计与仿真

作者： 严琳 董俊 李天明 汪海洋 周翼鸿  来源：电子设计工程 年份：1905 文献类型 ：期刊 关键词： 带通滤波器  平衡电路  反向并联二极管对  W波段倍频器 

描述：本文介绍了一种由低次级联形式构成的W波段宽带六倍频器。输入信号先经过MMIC得到二倍频,再由反向并联二极管对平衡结构实现宽带三倍频,从而将Ku波段信号六倍频到W波段。该倍频器的输入端口为玻璃绝缘子同轴转换接头,输出为WR-10标准矩形波导结构。仿真结果表明当输入信号功率为20dBm时,三倍频器在整个

全文：同轴转换接头,输出为WR-10标准矩形波导结构。仿真结果表明当输入信号功率为20dBm时,三倍频器在整个W波段的输出三次谐波功率为4.5dBm左右,变频损耗小于17dB。该设计可以降低毫米波设备的主振频率,扩展已有微波信号源的工作频段。

《五十二病方》药物消石、恒石、澡石、封殖土考释

作者： 尚志钧  来源：中药材 年份：1905 文献类型 ：期刊 关键词： 证类本草  别录  硝酸钠  同名异物  硫酸钠  硝酸钾  硫酸钾  本草纲目  开宝本草  五十二病方 

描述：消石《病方》22行:“久伤者稍(消)石直(置)温汤中,以洒痈。”消石异名很多,《别录》谓硝石名芒硝,但《别录》另有芒消条。又《别录》称朴消为消石。是消石有同名异物现象。《本草纲目》说:“诸消,自晋、唐以来,诸家皆执名而猜,都无定见。惟马志《开宝本草》,以消石为地霜炼成,而芒消、马牙硝为朴硝炼出者,一

全文：含硝酸钾,并夹杂少量硝酸钠、氯化钠。朴硝主要成分为含水硫酸钠,杂有硫酸钙、硫酸铁、硫酸钾。而芒消、马牙消是较纯的硫酸钠。它

多级PIN限幅器高功率微波效应研究

作者： 胡凯 李天明 汪海洋 周翼鸿  来源：强激光与粒子束 年份：1905 文献类型 ：期刊 关键词： PIN限幅器  多级  电热耦合模型  高功率微波效应 

描述：基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了H

全文：限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明:随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。